| Объём памяти | 64 ГБ |
| Тип памяти | DDR5 |
| Частота памяти | 5600 МТ/с |
| Количество планок | 2 |
| CAS Latency | CL40 |
| Назначение | Для компьютера |
| Особые свойства | Поддержка XMP |
| Страна-производитель | Тайвань |
| Форм-фактор памяти | SO-DIMM |
С отличной скоростью, функцией Plug N Play, удвоенным количеством банков с 16 до 32 и удвоенной длиной пакета с 8 до 16, Kingston FURY Impact DDR5 идеально подходит для геймеров и энтузиастов, которым нужна высокая производительность на платформах следующего поколения.
Повышая скорость, ёмкость и надёжность, Kingston FURY Impact DDR5 предлагает целый арсенал расширенных функций, таких как ECC на кристалле (ODECC) для повышения стабильности на экстремальных скоростях, два 32-битных подканала для повышения эффективности и встроенная в модуль схема управления питанием (PMIC), обеспечивающая контроль и настройку напряжения непосредственно на модуле памяти. При игре в самых экстремальных условиях, при стриминге в формате 4K и выше или при серьёзной анимации и 3D-рендеринге, Kingston FURY Impact DDR5 — это следующий уровень, в котором идеально сочетаются стиль и производительность.
Кроме того, Kingston FURY Impact DDR5 получила сертификат Intel XMP 3.0 и Certified, что означает, что пользователи могут рассчитывать на простой, стабильный и сертифицированный разгон.
Особенности:
Высокая производительность: Память DDR5 на 50% быстрее, чем DDR4, что добавляет производительности в играх, рендере и многозадачных средах.
Поддержка технологии автоматического разгона Plug N Play Automatic Overclocking: Kingston FURY Impact DDR5 поддерживает автоматический разгон до максимальной частоты, указанной в спецификациях.
Сертификация Intel XMP 3.0: Повышение производительности памяти с предварительно оптимизированными таймингами, скоростью и напряжением питания для разгона.
Ниже энергопотребление, выше эффективность: Снижение тепловыделения и повышение эффективности системы благодаря низкому напряжению питания памяти Impact DDR5 1,1 В.
Повышенная стабильность при разгоне: Коррекция ошибок на кристалле (On-die ECC, ODECC) помогает обеспечить целостность данных при разгоне памяти для повышения её производительности.
Пока нет отзывов.
Войдите, чтобы оставить отзыв.